與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體最為可行的候選器件。此外，SiC讓設(shè)計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設(shè)計的復雜程度。

　　SiC功率器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的應(yīng)用中都實現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。

　　SiC技術(shù)應(yīng)用：

　　太陽能和風能的DC/AC轉(zhuǎn)換器中的高效逆變器；

　　電動和混合動力汽車的功率轉(zhuǎn)換器；

　　工業(yè)設(shè)備和空調(diào)設(shè)備的功率逆變器；

　　X射線發(fā)生器的高壓開關(guān)；

　　薄膜涂層工藝